પરમાણ્વીય કક્ષકોમાંથી આણ્વીય કક્ષકના નિર્માણ દરમિયાન,ઇલેક્ટ્રોન ઘનતાની સંભાવના

નીચેનામાંથી પેરામેગ્નેટિક સ્પીસીઝની સંખ્યા $......$ છે.
$B_{2}, Li_{2}, C_{2}, C_{2}^{-}, O_{2}^{2-}, O_{2}^{+},$ અને $He_{2}^{+}$

પરમાણ્વિય કક્ષકોમાંથી આણ્વિય કક્ષકો બનતી વખતે,ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા .....

હાઇડ્રોજન $(H_2)$ અણુની ઇલેક્ટ્રોન રચના,બંધક્રમાંક અને ચુંબકીય ગુણધર્મ લખો.

પેરોક્સાઇડ આયન $(O_{2}^{2-})$ માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$(i)$ તેનો બંધક્રમાંક $1$ છે.
$(ii)$ તે પ્રતિચુંબકીય (diamagnetic) છે.
$(iii)$ તેમાં ચાર સંપૂર્ણ ભરાયેલી એન્ટિ-બોન્ડિંગ આણ્વીય કક્ષકો છે.
$(iv)$ તે નિયોન સાથે આઈસોઈલેક્ટ્રોનિક છે.

નીચેનામાંથી કયું ડાયમેગ્નેટિક (પ્રતિચુંબકીય) છે?